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La série MYS10 est un système de traitement plasma en ligne entièrement automatisé développé pour des applications dans des secteurs tels que les semi-conducteurs, l'électronique, les CMS, l'optoélectronique et la technologie médicale.
• Système plasma d'argon à pression atmosphérique
• Traitement plasma en ligne par lots d'une largeur de 100 mm ; offre une efficacité 2 à 5 fois supérieure et des coûts d'exploitation inférieurs de plus de 30 % par rapport aux méthodes traditionnelles
• Plasma 100 % neutre ; sûr et doux pour les composants électroniques sensibles : ne génère aucun bombardement de plasma, électricité statique, étincelles, arcs, poussière, chaleur élevée, ondulations de surface ou rayonnement UV, garantissant ainsi aucun dommage aux produits
• Plateforme plasma compacte offrant une flexibilité et une compatibilité élevées
• Procédés chimiques polyvalents : procédé O2 pour éliminer les contaminants organiques ; Procédé H2 pour éliminer les oxydes métalliques et activer les surfaces des produits
• Aucune génération de contaminants particulaires ou liquides
| Spécifications de base | MYS10 |
| Exigences d'alimentation | CA 200-240 V, 4,4 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Exigences en matière de pression atmosphérique | 90 psi (6 bars) |
| Dimensions | 790x1200x1880mm |
| Poids | 800 kg |
| Normes de certification | CE, SEMI-S2 |
| Précision du positionnement | XY : ±30 µm à 3σ ; Z : ±10 µm à 3σ |
| Répétabilité de l'axe XYZ | XY : ±15 µm à 3σ ; Z : ±5 µm à 3σ |
| Vitesse maximale | 1000 mm/s (XY) |
| Accélération | 1,0 g |
| Système d'entraînement | Servomoteur CA |
| Spécifications de la plate-forme de travail | |
| Type de piste | Ceinture |
| Capacité de charge ferroviaire | 3 kg |
| Plage d'épaisseur du substrat (sans support) | 0,5 à 6 mm |
| Déplacement sur l'axe Z | 100 millimètres |
| Max. hauteur du composant (côté supérieur) | 26 millimètres |
| Max. hauteur du composant (côté inférieur) | 23 mm |
| Protocole de communication | SMEMA |
| Plage de travail | |
| Zone de traitement plasma (L×P) | 350-475 mm |
| Angle de contact avec l'eau (WCA) après traitement au plasma | WCA < 10° (plaquette de silicium) WCA < 20° (Non métallique) |
| Méthode de traitement au plasma | Processus O2 pour l’élimination des contaminants organiques Procédé H2 pour l'élimination des oxydes métalliques |
| Exigences du système plasma | |
| Puissance RF | 600 W à 27,12 MHz |
| Gaz plasma principal | Argon |
| Gaz de procédé | O2, N2 ou H2 |
| Plage de pression d'alimentation en gaz | 40 à 100 psi (0,3 à 0,7 MPa) |
Adresse
5e étage, bâtiment 2, n° 182, route Chang'an Xi'an, ville de Chang'an, Dongguan, province du Guangdong, Chine.
Tél
