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La série MYS10iL est un système de traitement plasma en ligne entièrement automatisé développé pour des applications dans divers secteurs, notamment les semi-conducteurs, l'électronique, les CMS, l'optoélectronique et la technologie médicale.
• Système plasma d'argon à pression atmosphérique
• Traitement plasma en ligne par lots d'une largeur de 100 mm ; offre une efficacité 2 à 5 fois supérieure et des coûts d'exploitation inférieurs de plus de 30 % par rapport aux méthodes traditionnelles
• Plasma 100 % neutre ; sûr et doux pour les composants électroniques sensibles : pas de bombardement de plasma, d'électricité statique, d'étincelles, d'arcs, de poussière, de températures élevées, d'ondulations de surface ou de rayonnement UV
• Procédés chimiques polyvalents : procédé O2 pour éliminer les contaminants organiques ; Procédé H2 pour éliminer les oxydes métalliques et activer les surfaces des produits
• Ne génère aucune contamination particulaire ou liquide sur le produit
| Paramètres de base | MYS10iL |
| Exigences d'alimentation | CA 200 ~ 240 V, 4,5 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Exigences en matière de pression atmosphérique | 90 psi (6 bars) |
| Dimensions | 1000x1500x1550mm |
| Poids | 1050 kg |
| Attestation | CE |
| Précision du positionnement | XY : ±50µm à 3σ ; Z : ±10µm à 3σ |
| Répétabilité de l'axe XYZ | XY : ±25µm à 3σ ; Z : ±5µm à 3σ |
| Vitesse maximale | 1000 mm/s (XY) |
| Accélération | 1,0 g |
| Système d'entraînement | Servomoteur CA |
| Paramètres de la plate-forme de travail | |
| Type de convoyeur | Ceinture |
| Capacité de charge du convoyeur | 3 kg |
| Plage d'épaisseur de PCB (sans support) | 0,5 à 6 mm |
| Déplacement sur l'axe Z | 60mm |
| Max. Hauteur du composant (côté supérieur) | 45mm |
| Max. Hauteur du composant (côté inférieur) | 23mm |
| Protocole de communication | SMEMA |
| Plage de travail | |
| Zone de traitement au plasma (L × P) | 550-760 mm |
| Angle de contact avec l'eau (WCA) après traitement au plasma | WCA < 10° (plaquette de silicium) WCA < 20° (Matériaux non métalliques) |
| Méthode de traitement au plasma | Processus O2 pour l’élimination des contaminants organiques Procédé H2 pour l'élimination des oxydes métalliques |
| Exigences en matière d'équipement du système plasma | |
| Puissance RF | 600 W à 27,12 MHz |
| Gaz plasma principal | Argon |
| Gaz de procédé | O2, N2 ou H2 |
| Plage de pression d'alimentation en gaz | 40 à 100 psi (0,3 à 0,7 MPa) |
Adresse
5e étage, bâtiment 2, n° 182, route Chang'an Xi'an, ville de Chang'an, Dongguan, province du Guangdong, Chine.
Tél
