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Le MYS10SD est un système de traitement plasma en ligne entièrement automatisé développé pour des applications dans des secteurs tels que les mini LED, l'électronique, les SMT, l'optoélectronique et la technologie médicale.
• Système plasma à grande surface d'argon à pression atmosphérique
• Traitement plasma en ligne par lots d'une largeur de 100 mm ; offre une efficacité 2 à 5 fois supérieure et des coûts d'exploitation inférieurs de plus de 30 % par rapport aux méthodes traditionnelles
• La température de surface du produit reste inférieure à 45 °C pendant le traitement
• Démarrage instantané sans temps de préchauffage requis, ce qui permet d'économiser du temps de production
• Capable de traiter une large gamme de produits; prend en charge une commutation flexible entre des têtes plasma de différentes tailles
• Plateforme plasma hautement flexible, compatible et économique
• Capable d'effectuer un nettoyage ciblé sur des zones de produits spécifiques
| Spécifications de base | MYS10SD |
| Exigences d'alimentation | C.A. 200 ~ 240 V, 3,2 kW, 15 A, 50 Hz |
| Exigences en matière de pression atmosphérique | 90 psi (6 bars) |
| Dimensions | 990*1300*1800mm |
| Poids | 680 kg |
| Normes de certification | CE |
| Précision du positionnement | XYZ : ±50µm à 3σ |
| Répétabilité de l'axe XYZ | XYZ : ±25µm à 3σ |
| Vitesse maximale | 600 mm/s (XY) |
| Accélération | 0,6g |
| Système d'entraînement | Servomoteur CA |
| Spécifications de la plate-forme de travail | |
| Type de convoyeur | Ceinture |
| Capacité de charge du convoyeur | 3 kg |
| Plage d'épaisseur du substrat (sans support) | |
| 0,5 à 10 mm | |
| Déplacement sur l'axe Z | 60 millimètres |
| Max. hauteur du composant (côté supérieur) | 100 millimètres |
| Max. hauteur du composant (côté inférieur) | 100 millimètres |
| Protocole de communication | SMEMA |
| Plage de travail | |
| Zone de traitement plasma (L × P) | 475-480 mm |
| Angle de contact post-traitement (WCA) | WCA < 10° (plaquette de silicium) WCA < 20° (Non métallique) |
| Méthode de traitement au plasma | Processus Ar+O2 pour l’élimination des contaminants organiques |
| Exigences du système plasma | |
| Puissance RF | 250 W à 13,56 MHz |
| Gaz plasma principal | Argon |
| Gaz de procédé | O2 |
| Plage de pression d'alimentation en gaz | 40 à 120 psi (0,3 à 0,8 MPa) |
Adresse
5e étage, bâtiment 2, n° 182, route Chang'an Xi'an, ville de Chang'an, Dongguan, province du Guangdong, Chine.
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