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Le système plasma MYW10 offre un processus de traitement de surface des plaquettes très flexible et à haut débit.
• Système plasma d'argon à pression atmosphérique
• Traitement par lots de plasma en ligne d'une largeur de 100 mm ; offre une efficacité 2 à 5 fois supérieure et des coûts d'exploitation inférieurs de plus de 30 % par rapport aux méthodes traditionnelles
• Plasma 100 % neutre ; sûr et doux pour les composants électroniques sensibles : pas de bombardement de plasma, d'électricité statique, d'étincelles, d'arcs électriques, de poussière, de chaleur élevée, d'ondulations de surface ou de rayonnement UV, garantissant ainsi l'absence de dommages au produit
• Procédés chimiques polyvalents : procédé O2 pour éliminer les contaminants organiques ; Procédé H2 pour éliminer les oxydes métalliques et activer les surfaces des produits
• Ne provoque aucune contamination par des particules ni aucun changement dans la rugosité de la surface de la plaquette
• Compatible avec la production de cadres de plaquettes et de bandes, permettant une commutation rapide entre les deux
• Conforme aux normes de salle blanche et SEMI de classe 10
| Paramètres de base | MYW10 |
| Exigences d'alimentation | CA 380 V, 13 kW, 20 A, 50/60 Hz |
| Exigences en matière de pression atmosphérique | 90 psi (6 bars) |
| Dimensions | 2000x2800x2200mm |
| Poids | 2200 kg |
| Normes de certification | SEMI-S2/S6/S8 |
| Précision du positionnement | XY : ±20 µm à 3σ ; Z : ±10 µm à 3σ |
| Répétabilité de l'axe XYZ | XY : ±10 µm à 3σ ; Z : ±5 µm à 3σ |
| Vitesse maximale | 1000 mm/s (XY) |
| Accélération | 1,0 g |
| Système d'entraînement | Servomoteur CA |
| Spécifications de la plate-forme de travail | |
| Méthode de chargement/déchargement | OHT + Port de chargement + Bras robotique |
| Charge utile du bras robotique | 3 kg |
| Taille de plaquette compatible | 12 pouces (300 mm) |
| Système d'exploitation logiciel | Windows 10 |
| Voyage X/Y | 400mm / 500mm |
| Déplacement sur l'axe Z | 20mm |
| Protocole de communication | SECS/GEM |
| Plage de fonctionnement | |
| Zone de traitement au plasma (L × P) | 300×300mm |
| Angle de contact avec l'eau après traitement (WCA) | WCA < 10° (plaquette de silicium) |
| Méthode de traitement au plasma | Processus O2 pour l’élimination des contaminants organiques Procédé H2 pour l'élimination des oxydes métalliques |
| Configuration requise pour le système plasma | |
| Puissance RF | 600 W à 27,12 MHz |
| Gaz plasma principal | Argon |
| Gaz de procédé | O2, N2 ou H2 |
| Plage de pression d'alimentation en gaz | 40 à 100 psi (0,3 à 0,7 MPa) |
Adresse
5e étage, bâtiment 2, n° 182, route Chang'an Xi'an, ville de Chang'an, Dongguan, province du Guangdong, Chine.
Tél
